Disco Sólido SSD Hiksemi Hiksemi HIKSEMI FUTUREX 512GB NVME

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HiksemiSKU: SSDHSFUTX512| P/N: HS-SSD-FUTUREX 512G

Disco Sólido SSD Hiksemi Hiksemi HIKSEMI FUTUREX 512GB NVME

Name: Disco Sólido SSD Hiksemi Hiksemi HIKSEMI FUTUREX 512GB NVME
Brand: Hiksemi
SKU: SSDHSFUTX512
Price: 450.90 PEN
Availability: InStock

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Detalles del Producto

Unidad de estado solido (SSD) HIKSEMI FUTUREX 512GB M.2 2280, Interfaz: PCIe Gen4 x4 El SSD HIKSEMI FUTUREX 512GB (HS-SSD-FUTUREX 512G) ofrece alto rendimiento para equipos de escritorio y portátiles compatibles con M.2 NVMe. Su interfaz PCIe 4.0 x4 y memoria 3D TLC alcanzan velocidades de hasta 7,050 MB/s en lectura y 4,200 MB/s en escritura, acelerando el arranque del sistema y la carga de aplicaciones. Su formato M.2 2280 con disipador térmico brinda estabilidad, confiabilidad y larga vida útil para uso profesional y gaming.

Especificaciones Técnicas

specs_all_html<table width="" border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" tbn="1"> <tr> <td valign="top" align="left"> <table width="" cellpadding="10" border="0" tbn="2"> <tr> <td> <table width="100%" cellpadding="1" cellspacing="1" border="1" tbn="3"> <tr> <td firCol="y" rowspan="1">DESCRIPCION DEL PRODUCTO</td><td height="21" colspan="2" rowspan="1" style="">UNIDAD DE ESTADO SOLIDO (SSD)</td></tr><tr> </tr><tr> <td firCol="y" rowspan="1">MARCA</td><td height="21" colspan="2" >HIKSEMI</td></tr><tr> </tr><tr> <td firCol="y" rowspan="1">MODELO</td><td height="21" colspan="2" >HS-SSD-FUTUREX 512G</td></tr><tr> </tr><tr> <td firCol="y" rowspan="1">CAPACIDAD</td><td height="21" colspan="2" >512 GB</td></tr><tr> </tr><tr> <td firCol="y" rowspan="1">INTERFAZ</td><td height="21" colspan="2" >PCIe Gen4 x4<BR></td></tr><tr> </tr><tr> <td firCol="y" rowspan="1">VELOCIDAD DE LECTURA</td><td height="21" colspan="2" >7050 MB/S</td></tr><tr> </tr><tr> <td firCol="y" rowspan="1">VELOCIDAD DE ESCRITURA</td><td height="21" colspan="2" >4200 MB/S</td></tr><tr> </tr><tr> <td firCol="y" rowspan="1">TERABYTE ESCRITO (SSD-PCIe)</td><td height="21" colspan="2" >900 TB</td></tr><tr> </tr><tr> <td firCol="y" rowspan="1">FORMATO</td><td height="21" colspan="2" >M.2 2280</td></tr><tr> </tr><tr> <td firCol="y" rowspan="1">TIPO DE CHIP</td><td height="21" colspan="2" rowspan="1" style="">3D NAND TECHNOLOGY</td></tr><tr> </tr><tr> <td firCol="y" rowspan="3">CARACTERISTICAS TECNICAS</td><td height="21" colspan="2" rowspan="1" style="">MTBF: 2,000,000 HORAS</td></tr><tr><td height="21" colspan="2" rowspan="1" style="">FUNCION: AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667</td></tr><tr><td height="21" colspan="2" rowspan="1" style="">INCLUYE FUNCIONES COMO AES-256, RAID 5/6, Y PROTECCION DE DATOS CON ECC DE TERCERA GENERACION</td></tr><tr> </tr><tr> <td firCol="y" rowspan="1">CONDICIONES DE OPERACION</td><td height="21" rowspan="1" style="">TEMPERATURA DE OPERACION</td><td height="21" colspan="1" >0°C ~ 70°C</td></tr><tr> </tr><tr> <td firCol="y" rowspan="1">CONDICIONES DE ALMACENAJE</td><td height="21" rowspan="1" style="">TEMPERATURA DE ALMACENAJE</td><td height="21" colspan="1" >-40˚C ~ 85˚C</td></tr><tr> </tr> </table> </td> </tr> </table> </td> </tr> </table>

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